Сообщается, что банк принял решение выступить соинвестором в проекте создания высокотехнологичного предприятия по производству арсенид галлиевых пластин, чипов и оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров в Санкт-Петербурге.
Отметим, что чипы будут использоваться в оптических устройствах высокоскоростной передачи данных для локальных сетей, активных оптических кабелях, суперкомпьютерах, межсоединениях перспективного стандарта USB 3.0, 4.0.
Как прогнозируют специалисты "Роснано", к 2014 году мировой рынок оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров достигнет 1,4 млрд долл. по сравнению с 300 млн долл. в 2008 году.
Планируется, что научную поддержку проекту в России будут осуществлять Санкт-Петербургский физико-технический институт им. А.Ф. Йоффе и новосибирский Институт физики полупроводников СО РАН.